Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 65 A 62.5 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- RS Best.-Nr.:
- 228-2825
- Herst. Teile-Nr.:
- SI7116BDN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.0.929 | CHF.9.27 |
| 100 - 240 | CHF.0.879 | CHF.8.83 |
| 250 - 490 | CHF.0.697 | CHF.6.98 |
| 500 - 990 | CHF.0.646 | CHF.6.49 |
| 1000 + | CHF.0.556 | CHF.5.57 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 228-2825
- Herst. Teile-Nr.:
- SI7116BDN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 65A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 62.5W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 31.4nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 65A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 62.5W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 31.4nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 0.75mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Vishay TrenchFET N-Kanal-Leistungs-MOSFET wird für DC/DC-Primär-Seitenschalter, Telekommunikation/Server, Motorsteuerung und synchrone Gleichrichtung verwendet.
Sehr niedrige Qg und Qoss reduzieren Leistungsverluste und
Verbesserung der Effizienz
Optimiertes Qg-, Qgd- und Qgd/Qgs-Verhältnis verringert
Leistungsverlust beim Schalten
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