Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 65 A 62.5 W, 8-Pin SI7116BDN-T1-GE3 PowerPAK 1212

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Herst. Teile-Nr.:
SI7116BDN-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

65A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

31.4nC

Maximale Verlustleistung Pd

62.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.75mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Vishay TrenchFET N-Kanal-Leistungs-MOSFET wird für DC/DC-Primär-Seitenschalter, Telekommunikation/Server, Motorsteuerung und synchrone Gleichrichtung verwendet.

Sehr niedrige Qg und Qoss reduzieren Leistungsverluste und

Verbesserung der Effizienz

Optimiertes Qg-, Qgd- und Qgd/Qgs-Verhältnis verringert

Leistungsverlust beim Schalten

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