Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 40 V / 58 A 40 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW
- RS Best.-Nr.:
- 735-210
- Herst. Teile-Nr.:
- SQS136ENW-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
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- Vishay
Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 58A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8SLW | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.013Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 40W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Länge | 3.3mm | |
| Breite | 3.3 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 58A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212-8SLW | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.013Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 40W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Länge 3.3mm | ||
Breite 3.3 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
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