Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 40 V / 214 A 197 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW

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Herst. Teile-Nr.:
SQS140ENW-T1_GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

214A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8SLW

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.000253Ω

Channel-Modus

Entleerung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

197W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

38nC

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Länge

3.3mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Vishay TrenchFET® ist ein N-Kanal-MOSFET der Gen IV-Leistung, der bei 40 V und 175 °C arbeitet. Dieser MOSFET wird für hohe Leistungsdichte verwendet.

Niedriger Widerstand,

AEC-Q101-qualifiziert,

UIS-geprüft

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