Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 214 A 197 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 W
- RS Best.-Nr.:
- 239-8685
- Herst. Teile-Nr.:
- SQS405CENW-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
CHF.18.675
Auf Lager
- 3'025 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | CHF 0.747 | CHF 18.64 |
| 250 - 600 | CHF 0.697 | CHF 17.52 |
| 625 - 1225 | CHF 0.636 | CHF 15.84 |
| 1250 - 2475 | CHF 0.596 | CHF 14.90 |
| 2500 + | CHF 0.556 | CHF 13.99 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 239-8685
- Herst. Teile-Nr.:
- SQS405CENW-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 214A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8 W | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.02Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 38nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 197W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Länge | 3.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 214A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212-8 W | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.02Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 38nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 197W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Länge 3.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Vishay SQS ist ein Kfz-P-Kanal-MOSFET, der bei 40 V und 175 °C arbeitet. Dieser MOSFET wird für hohe Leistungsdichte verwendet.
AEC-Q101-qualifiziert
UIS-geprüft
Verwandte Links
- Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 214 A 197 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 W
- Vishay SQS Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 214 A 197 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW
- Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 40 V / 214 A 197 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW
- Vishay SQS Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 8 A 27 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 W
- Vishay TrenchFET P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -40 V / -230 A 214 W, 8-Pin PowerPAK (8x8LR)
- Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -40 V / 141 A 192 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- Vishay SQSA70CENW Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 18 A 62.5 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 W
- Vishay SQS Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 80 V / 16 A 27 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 W