Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 214 A 197 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 W
- RS Best.-Nr.:
- 239-8684
- Herst. Teile-Nr.:
- SQS405CENW-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
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- 239-8684
- Herst. Teile-Nr.:
- SQS405CENW-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 214A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8 W | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.02Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 38nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 197W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Länge | 3.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 214A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212-8 W | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.02Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 38nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 197W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Länge 3.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Vishay SQS ist ein Kfz-P-Kanal-MOSFET, der bei 40 V und 175 °C arbeitet. Dieser MOSFET wird für hohe Leistungsdichte verwendet.
AEC-Q101-qualifiziert
UIS-geprüft
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