Vishay SQS N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 80 V / 16 A 27 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 W
- RS Best.-Nr.:
- 268-8375
- Herst. Teile-Nr.:
- SQSA82CENW-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 268-8375
- Herst. Teile-Nr.:
- SQSA82CENW-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 16A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | SQS | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8 W | |
| Montageart | Leiterplattenmontage | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.073Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 27W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 22nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 3.3mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 16A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie SQS | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212-8 W | ||
Montageart Leiterplattenmontage | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.073Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 27W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 3.3mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Kfz-N-Kanal-TrenchFET-Leistungs-MOSFET von Vishay ist bleifreies und halogenfreies Gerät. Dies ist ein MOSFET mit einfacher Konfiguration und SMD-Gerät.
AEC Q101 qualifiziert
ROHS-konform
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