Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -40 V / 110 A 192 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW
- RS Best.-Nr.:
- 252-0320
- Herst. Teile-Nr.:
- SQS142ELNW-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 252-0320
- Herst. Teile-Nr.:
- SQS142ELNW-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 110A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -40V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8SLW | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.01mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 94nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 192W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.15mm | |
| Breite | 3.3 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 110A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -40V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212-8SLW | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.01mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 94nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 192W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.15mm | ||
Breite 3.3 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die MOSFETs von Vishay für den Automobilbereich werden in einem speziellen Prozessablauf hergestellt, um eine hohe Robustheit zu gewährleisten. Die nach AEC-Q101 qualifizierte SQ-Serie von Vishay Siliconix ist für eine maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C ausgelegt und verfügt über n- und p-Kanal-Trench-FET-Technologien mit niedrigem Durchlasswiderstand in blei- und halogenfreien SO-Gehäusen.
TrenchFET Gen IV Leistungs-MOSFET
AEC-Q101 qualifiziert
100 % Rg und UIS getestet
Benetzbare Flankenanschlüsse
Geringer thermischer Widerstand mit 0,75 mm Profil
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