Vishay SQS484CENW Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 16 A 62.5 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- RS Best.-Nr.:
- 200-6850
- Herst. Teile-Nr.:
- SQS484CENW-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- 200-6850
- Herst. Teile-Nr.:
- SQS484CENW-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 16A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | SQS484CENW | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 11mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 40nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 62.5W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 3.4mm | |
| Breite | 1.12 mm | |
| Länge | 3.4mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 16A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie SQS484CENW | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 11mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 40nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 62.5W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 3.4mm | ||
Breite 1.12 mm | ||
Länge 3.4mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Vishay SQS484CENW-T1_GE3 ist ein Kfz-N-Kanal-40-V-(D-S)-175 °C-MOSFET.
TrenchFET® Leistungs-MOSFET
AEC-Q101-qualifiziert
100 % Rg- und UIS-getestet
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