Vishay SQS484CENW N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 16 A 6.25 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 W
- RS Best.-Nr.:
- 735-126
- Herst. Teile-Nr.:
- SQS484CENW-T1_BE3
- Marke:
- Vishay
Zwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*
CHF.0.737
Auf Lager
- 3'000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Gurtabschnitt(e) | Pro Gurtabschnitt |
|---|---|
| 1 + | CHF 0.74 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 735-126
- Herst. Teile-Nr.:
- SQS484CENW-T1_BE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 16A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8 W | |
| Serie | SQS484CENW | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0095Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 6.25W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12.3nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 3.3mm | |
| Länge | 3.3mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 16A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212-8 W | ||
Serie SQS484CENW | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0095Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 6.25W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12.3nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 3.3mm | ||
Länge 3.3mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- DE
Der Leistungs-MOSFET von Vishay bietet außergewöhnliche Leistung für Automobilanwendungen und gewährleistet zuverlässiges Hochgeschwindigkeitsschalten mit niedrigem Einschaltwiderstand, wodurch er für verschiedene Strommanagementaufgaben sehr effizient ist.
Geeignet für kontinuierliche Ablassströme von bis zu 16 A
Breiter Betriebstemperaturbereich von -55 bis +175 °C
Verwandte Links
- Vishay SQS484CENW Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 16 A 62.5 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SQS840CENW N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 12 A 33 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 W
- Vishay SQS Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 8 A 27 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 W
- Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 214 A 197 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 W
- Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -40 V / 141 A 192 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- Vishay SiS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 91 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SiS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 64 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SiS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 55 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212