Vishay SiS N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 80 V / 64 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212

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RS Best.-Nr.:
735-136
Herst. Teile-Nr.:
SiSD5806DN
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N-Kanal

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

64A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Serie

SiS

Montageart

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0069Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

22nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

80V

Maximale Verlustleistung Pd

57W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

4mm

Breite

4mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

1mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
DE
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay ist für 80 V Drain-Source-Spannung ausgelegt und wurde speziell für den verlustarmen Betrieb in KI-Leistungsserver-Lösungen und hocheffizienten DC/DC-Wandlern entwickelt.

64 A kontinuierlicher Ablassstrom bei TC=25 °C

57 W maximale Verlustleistung

Maximale Gate-Gesamtladung von 33 nC

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