Vishay SiS N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 30 V / 198 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212

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RS Best.-Nr.:
735-152
Herst. Teile-Nr.:
SiSD5300DN
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

198A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

SiS

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Montageart

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.00087Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

57W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

30V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

59nC

Gate-Source-spannung max Vgs

16V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

4mm

Breite

4mm

Höhe

1mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
IL
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay ist für 60 V Drain-Source-Spannung ausgelegt und für hocheffizientes Schalten in KI-Leistungsserver-DC/DC-Wandlern und synchronen Gleichrichterkreisen optimiert. Er erreicht einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand von maximal 1,7 mΩ bei 10 V Gate-Ansteuerung für minimale Leitungsverluste in Hochstromanwendungen

94 A kontinuierlicher Ablassstrom bei TA=25 °C

54,3 nC typische Gesamt-Gate-Ladung für schnelles Schalten

Erweiterter Sperrschichttemperaturbereich von -55 °C bis +175 °C

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