Vishay SiS N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 60 V / 91 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212

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RS Best.-Nr.:
735-141
Herst. Teile-Nr.:
SiSD4604LDN
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N-Kanal

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

91A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Serie

SiS

Montageart

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0034Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

42nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

57W

Durchlassspannung Vf

60V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

4mm

Höhe

1mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
IL
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay ist für 60 V Drain-Source-Spannung ausgelegt und für hocheffizientes Schalten in KI-Leistungsserver-DC/DC-Wandlern und synchronen Gleichrichterkreisen optimiert. Er erreicht einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand von maximal 1,7 mΩ bei 10 V Gate-Ansteuerung für minimale Leitungsverluste in Hochstromanwendungen

57 W Verlustleistung

28 A kontinuierlicher Ablassstrom

Niedrige maximale Gesamt-Gate-Ladung von 15 nC

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