ROHM R8011KNZ4 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 800 V 139 W, 3-Pin TO-247

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687-457
Herst. Teile-Nr.:
R8011KNZ4C13
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

R8011KNZ4

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.45Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

37nC

Maximale Verlustleistung Pd

139W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

40mm

Breite

16.24 mm

Höhe

5.22mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von ROHM wurde entwickelt, um außergewöhnliche Effizienz und Zuverlässigkeit in verschiedenen Anwendungen zu bieten. Mit einer Nennspannung von 800 V und einem maximalen kontinuierlichen Ablassstrom von 11 A eignet sich dieses Bauteil hervorragend für anspruchsvolle Umgebungen. Er wurde für schnelles Schalten entwickelt und verfügt über einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand von nur 0,45 Ω, was einen geringen Leistungsverlust und ein effizientes Wärmemanagement ermöglicht. Seine robuste Konstruktion gewährleistet die Einhaltung von Umweltstandards, einschließlich RoHS, und macht ihn zu einer praktischen Wahl für moderne elektronische Designs, bei denen Nachhaltigkeit und Leistung im Vordergrund stehen.

Niedriger Einschaltwiderstand gewährleistet effiziente Stromversorgung

Schnelles Schalten optimiert die Leistung bei Hochgeschwindigkeitsanwendungen

Die robuste Konstruktion unterstützt den parallelen Einsatz und erhöht die Designflexibilität

Erfüllt die RoHS-Normen und trägt zu umweltfreundlichen Designs bei

Breiter Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +150 °C gewährleistet Zuverlässigkeit unter extremen Bedingungen

Der thermische Widerstand bietet ein hervorragendes Wärmemanagement in kompakter Bauweise

Effektive Gate-Ladeeigenschaften ermöglichen eine einfachere Integration in bestehende Schaltungen

Vielseitige Anwendungen in der Industrie, im Automobilbereich und in der Unterhaltungselektronik

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