ROHM Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 55 A, 4-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 266-3882
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT3040KRC15
- Marke:
- ROHM
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- RS Best.-Nr.:
- 266-3882
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- SCT3040KRC15
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 55A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 55A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der ROHM-MOSFET ist ein SiC-MOSFET mit einer Trench-Gate-Struktur, die für eine Reihe von Anwendungen optimiert ist, einschließlich Server-Netzteile, Solar-Wechselrichter, Schaltnetzteile, Motorantriebe, Induktionsheizung und EV-Ladestationen, die einen hohen Wirkungsgrad erfordern. Es wird ein neues 4-poliges Gehäuse verwendet, das die Stromversorgungs- und Treiberquellen-Anschlussklemmen trennt, wodurch es möglich ist, die Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung zu maximieren. Dies verbessert insbesondere die EIN-Verluste, und infolgedessen können die gesamten EIN- und AUS-Verluste im Vergleich zum herkömmlichen 3-poligen Gehäuse um bis zu 35 % reduziert werden.
Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Einfach zu betreiben
Bleifreie Leiterbeschichtung
Schnelle umgekehrte Erholung
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