ROHM N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 55 A 262 W, 4-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
191-8762
Herst. Teile-Nr.:
SCT3040KRC14
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

55 A

Drain-Source-Spannung max.

1200 V

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand max.

52 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5.6V

Gate-Schwellenspannung min.

2.7V

Verlustleistung max.

262 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

22 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Transistor-Werkstoff

SiC

Gate-Ladung typ. @ Vgs

107 nC @ 18 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Der SCT3040KR ist ein SiC MOSFET mit Trench Gate Struktur, ideal für Servernetzteile, Solarwechselrichter und Ladestationen für Elektrofahrzeuge. Ein 4-poliges Gehäuse, das die Terminal für Stromquelle und Terminal für Treiberquelle trennt, verbessert die Hochgeschwindigkeitsschaltleistung.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Schnelle Rückwärtswiederherstellung
Einfach zu parallel
Einfach anzutreiben
Bleifreie Leitungsbeschichtung
Hocheffizientes 4-poliges Gehäuse
Evaluierungsplatine "P02SCT3040KR-EVK-001"
Anwendung
Solarwechselrichter
DC/DC-Wandler
Getaktete Netzteile
Induktionsheizung
Motorantriebe

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