ROHM SCT3030AR Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 70 A 262 W, 4-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 191-8787
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT3030ARC14
- Marke:
- ROHM
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 191-8787
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT3030ARC14
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 70A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | SCT3030AR | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 39mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 262W | |
| Durchlassspannung Vf | 3.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 104nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 16mm | |
| Breite | 23.45 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 70A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie SCT3030AR | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 39mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 262W | ||
Durchlassspannung Vf 3.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 104nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 16mm | ||
Breite 23.45 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
SCT3030AR ist ein SiC MOSFET mit Trenchgate-Struktur, ideal für Servernetzteile, Solarwechselrichter und Ladestationen für Elektrofahrzeuge. Ein 4-poliges Gehäuse, das die Terminal für Stromquelle und Terminal für Treiberquelle trennt, verbessert die Hochgeschwindigkeitsschaltleistung.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Schnelle Rückwärtswiederherstellung
Einfach zu parallel
Einfach anzutreiben
Bleifreie Leitungsbeschichtung
Hocheffizientes 4-poliges Gehäuse
Evaluierungsplatine "P02SCT3040KR-EVK-001"
Anwendung
Solarwechselrichter
DC/DC-Wandler
Getaktete Netzteile
Induktionsheizung
Motorantriebe
Verwandte Links
- ROHM SCT3022AL Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 93 A 262 W, 3-Pin TO-247
- ROHM Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 70 A, 4-Pin TO-247
- ROHM Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 39 A, 4-Pin TO-247
- ROHM Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A, 4-Pin TO-247
- onsemi NTHL Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 70 A 500 W, 3-Pin TO-247
- ROHM N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 55 A 262 W, 4-Pin TO-247
- onsemi NTH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 70 A 263 W, 3-Pin TO-247-3L
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 20 A, 3-Pin TO-247