ROHM SH8MD5HT Typ P, Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 80 V 2.0 W, 8-Pin SOP-8

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RS Best.-Nr.:
687-485
Herst. Teile-Nr.:
SH8MD5HTB1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

SOP-8

Serie

SH8MD5HT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

167mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.1nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

2.0W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5.20 mm

Höhe

1.75mm

Länge

6.30mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
JP
Der N-Kanal- und P-Kanal-Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für ein effizientes Energiemanagement in elektronischen Anwendungen entwickelt. Dieses Gerät zeichnet sich durch einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine hohe Verlustleistung aus, was es zu einer idealen Wahl für Motorantriebsanwendungen macht. Mit N- und P-Kanal-Konfigurationen ermöglicht er vielseitige Schaltungsentwürfe in kompakten SOP8-Gehäusen. Die robuste Konstruktion des MOSFET gewährleistet, dass er die strengen Anforderungen an Zuverlässigkeit und Konformität erfüllt, einschließlich RoHS- und halogenfreier Zertifizierungen, die für moderne elektronische Komponenten unerlässlich sind.

Niedriger Einschaltwiderstand verbessert die Effizienz und thermische Leistung

Kompaktes SOP8-Gehäuse bietet platzsparende Lösungen für Leiterplatten-Designs

Pb-frei und RoHS-konform, um eine umweltfreundliche Herstellung zu gewährleisten

Halogenfreie Konstruktion fördert Sicherheit und Nachhaltigkeit

Sowohl für N-Kanal- als auch für P-Kanal-Anwendungen geeignet und bietet Designflexibilität

Zuverlässiger Betrieb mit 100 % Rg und UIS-Test für hohe Qualitätssicherung

Außergewöhnliche Lawinenbelastbarkeit für den robusten Umgang mit transienten Bedingungen.

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