ROHM Doppelt Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 7.5 A 2 W, 8-Pin SOP
- RS Best.-Nr.:
- 223-6393
- Herst. Teile-Nr.:
- SH8JC5TB1
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.11.21
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 02. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.2.242 | CHF.11.23 |
| 50 - 95 | CHF.1.909 | CHF.9.56 |
| 100 - 245 | CHF.1.485 | CHF.7.41 |
| 250 + | CHF.1.454 | CHF.7.27 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 223-6393
- Herst. Teile-Nr.:
- SH8JC5TB1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.32Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 50nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5mm | |
| Breite | 6 mm | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.32Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 50nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5mm | ||
Breite 6 mm | ||
Höhe 1.75mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Rohm Leistungs-MOSFET hat den DFN2020-8D-Gehäusetyp. Er wird hauptsächlich zum Schalten verwendet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Kleines Oberflächenmontage-Gehäuse
Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform
Halogenfrei
Verwandte Links
- ROHM Doppelt Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 8.5 A 2 W, 8-Pin SOP
- ROHM P-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 7,5 A, 8-Pin SOP
- ROHM Doppelt SP8M4 Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 9 A 2 W, 8-Pin SOP
- ROHM Doppelt SP8M21 Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 45 V Erweiterung / 6 A 2 W, 8-Pin SOP
- ROHM Doppelt SP8M5 Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 5 A 2 W, 8-Pin SOP
- ROHM Doppelt SH8MB Typ N, Typ P-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 8.5 A 2 W, 8-Pin SOP
- ROHM Doppelt SH8MA2 Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 4.5 A 2.7 W, 8-Pin SOP
- ROHM Doppelt SP8M3 Typ N, Typ P-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 5 A 2 W, 8-Pin SOP