ROHM Doppelt SH8MA4 Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 9 A 3 W, 8-Pin SOP

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*

CHF.1'212.50

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2500 +CHF.0.485CHF.1'222.10

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
177-6205
Herst. Teile-Nr.:
SH8MA4TB1
Marke:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

SH8MA4

Gehäusegröße

SOP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

21.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15.5nC

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

3W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Höhe

1.6mm

Länge

5.2mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.05 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
TH
Der SH8MA4TB1 ist ein MOSFET mit niedrigem Betriebswiderstand und kleinem Gehäuse zur Oberflächenmontage. Er ist für das Schalten geeignet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand.

Kleines SMD-Gehäuse (SOP8).

Bleifreie Leitungsbeschichtung

Halogenfrei.

Verwandte Links