ROHM SH8MA4 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 9 A 3 W, 8-Pin SOP
- RS Best.-Nr.:
- 177-6205
- Herst. Teile-Nr.:
- SH8MA4TB1
- Marke:
- ROHM
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- 177-6205
- Herst. Teile-Nr.:
- SH8MA4TB1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | N, P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 9 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Serie | SH8MA4 | |
| Gehäusegröße | SOP | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 21,4 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 3 W | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 5.2mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 15.5 nC, 19.6 nC | |
| Breite | 4mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 1.6mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ N, P | ||
Dauer-Drainstrom max. 9 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Serie SH8MA4 | ||
Gehäusegröße SOP | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 21,4 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 3 W | ||
Gate-Source Spannung max. ±20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 5.2mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 15.5 nC, 19.6 nC | ||
Breite 4mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 1.6mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
RoHS Status: Ausgenommen
- Ursprungsland:
- TH
Der SH8MA4TB1 ist ein MOSFET mit niedrigem Betriebswiderstand und kleinem Gehäuse zur Oberflächenmontage. Er ist für das Schalten geeignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand.
Kleines SMD-Gehäuse (SOP8).
Bleifreie Leitungsbeschichtung
Halogenfrei.
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