ROHM Doppelt SH8MA4 Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 9 A 3 W, 8-Pin SOP

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:
177-6205
Herst. Teile-Nr.:
SH8MA4TB1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Serie

SH8MA4

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Montageart

Oberfläche

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30 V

Channel-Modus

Erweiterung

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

9 A

Maximale Verlustleistung (Pd)

3 W

Pinanzahl

8

Gehäusegröße

SOP

Automobilstandard

Nein

Durchlassspannung (Vf)

-1.2 V

Höhe

1.6 mm

Länge

5.2 mm

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

21.4 mΩ

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Normen/Zulassungen

No

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

15.5 nC

Breite

4.05 mm

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
TH
SH8MA4TB1 is low on-resistance and small surface mount package MOSFET. It is suitable for switching.

Low on - resistance.

Small Surface Mount Package (SOP8).

Pb-free lead plating

Halogen Free.

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