ROHM Doppelt SH8MB Typ N, Typ P-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 8.5 A 2 W, 8-Pin SOP
- RS Best.-Nr.:
- 234-2985
- Herst. Teile-Nr.:
- SH8MB5TB1
- Marke:
- ROHM
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- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | SH8MB | |
| Gehäusegröße | SOP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 19mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10.6nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie SH8MB | ||
Gehäusegröße SOP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 19mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10.6nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.75mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Serie SH8MB5 von Rdom ist ein MOSFET mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand, der sich ideal für Schaltanwendungen eignet. Das kleine SMD-Gehäuse (SOP8) trägt zur Platzersparnis bei.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Kleines SMD-Gehäuse (SOP8)
Pb-frei Beschichtung ;
RoHS-konform
Halogenfrei
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