ROHM Doppelt SP8M4 Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 9 A 2 W, 8-Pin SOP SP8M4HZGTB

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Herst. Teile-Nr.:
SP8M4HZGTB
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

SP8M4

Gehäusegröße

SOP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

28mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25nC

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.75mm

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

6 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Rohm SP8M4HZG n MOSFET für die Automobilindustrie, der EC-Q101-zertifiziert ist. NCH+Pch 30-V-MOSFETs mit ESD-Schutzdiode sind im SOP8-Gehäuse enthalten. Ideal für Schaltanwendungen.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Kleines SMD-Gehäuse (SOP8)

Bleifreie Leitungsbeschichtung ; RoHS-konform

AEC-Q101-qualifiziert

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