ROHM Doppelt SP8M21 Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 45 V Erweiterung / 6 A 2 W, 8-Pin SOP
- RS Best.-Nr.:
- 222-4378
- Herst. Teile-Nr.:
- SP8M21HZGTB
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.16.11
Auf Lager
- 2'400 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.3.222 | CHF.16.12 |
| 50 - 95 | CHF.2.818 | CHF.14.11 |
| 100 - 245 | CHF.2.505 | CHF.12.54 |
| 250 - 995 | CHF.2.252 | CHF.11.27 |
| 1000 + | CHF.2.212 | CHF.11.04 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-4378
- Herst. Teile-Nr.:
- SP8M21HZGTB
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 45V | |
| Gehäusegröße | SOP | |
| Serie | SP8M21 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 46mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 20nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Länge | 5mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 45V | ||
Gehäusegröße SOP | ||
Serie SP8M21 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 46mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 20nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.75mm | ||
Länge 5mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Rohm SP8M21HZG n MOSFET für die Automobilindustrie, der EC-Q101-zertifiziert ist. 45-V-Nch- und Pch-Paar-MOSFETs sind im SOP8-Gehäuse enthalten. Integrierte ESD-Schutzdiode. Ideal für Schaltanwendungen.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Kleines SMD-Gehäuse (SOP8)
Bleifreie Leitungsbeschichtung ; RoHS-konform
Halogenfrei
SN100 % Beschichtung
AEC-Q101-qualifiziert
Verwandte Links
- ROHM Doppelt SP8M21 Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 45 V Erweiterung / 6 A 2 W, 8-Pin SOP
- ROHM Doppelt Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 8.5 A 2 W, 8-Pin SOP
- ROHM Doppelt Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 7.5 A 2 W, 8-Pin SOP
- ROHM Doppelt SP8M4 Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 9 A 2 W, 8-Pin SOP
- ROHM Doppelt SP8M5 Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 5 A 2 W, 8-Pin SOP
- ROHM Doppelt SH8MA4 Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 9 A 3 W, 8-Pin SOP
- ROHM Doppelt SH8MA2 Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 4.5 A 2.7 W, 8-Pin SOP
- ROHM Doppelt SH8MB Typ N, Typ P-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 8.5 A 2 W, 8-Pin SOP