ROHM Doppelt SH8MA2 Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 4.5 A 2.7 W, 8-Pin SOP

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
177-6673
Herst. Teile-Nr.:
SH8MA2GZETB
Marke:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOP

Serie

SH8MA2

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

80mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

2.7W

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.05mm

Höhe

1.6mm

Länge

5.2mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
TH
Der SH8MA2 ist ein Leistungs-MOSFET mit geringem Betriebswiderstand, zum Schalten geeignet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand.

Kleines SMD-Gehäuse (SOP8).

Bleifreie Leitungsbeschichtung

Halogenfrei.

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.