Vishay SQJQ143EL P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / -192 A 283 W, 8-Pin PowerPAK (8x8L)
- RS Best.-Nr.:
- 735-117
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJQ143EL-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt sichern
10 weitere Einheiten hinzufügen, um 27% zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*
CHF 3.52
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 24. Mai 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Gurtabschnitt(e) | Pro Gurtabschnitt | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|
| 1 - 9 | CHF 3.52 | - |
| 10 - 99 | CHF 2.57 | 27% |
| 100 - 499 | CHF 2.01 | 42% |
| 500 + | CHF 1.72 | 51% |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 735-117
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJQ143EL-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | P-Kanal | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -192A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | SQJQ143EL | |
| Gehäusegröße | PowerPAK (8x8L) | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0059Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 241nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 283W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 7.9mm | |
| Breite | 8mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp P-Kanal | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -192A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie SQJQ143EL | ||
Gehäusegröße PowerPAK (8x8L) | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0059Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 241nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 283W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 7.9mm | ||
Breite 8mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Leistungs-MOSFET von Vishay wurde für Automobilanwendungen entwickelt und kann unter rauen Bedingungen betrieben werden. Seine robuste Konstruktion gewährleistet Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Szenarien und optimiert die Leistung mit seinem fortschrittlichen Design.
Niedriger Einschaltwiderstand sorgt für geringere Verlustleistung
Optimierte thermische Leistung verlängert die Lebensdauer
Verwandte Links
- Vishay TrenchFET P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -60 V / -222 A 348 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay TrenchFET P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -80 V / -175 A 348 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay TrenchFET Gen IV Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 445 A 255 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay P-Channel 40 V Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 226 A 600 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay P-Channel 12 V Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 12 V / 137 A 375 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay P-Channel 30 V Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 280 A 600 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay TrenchFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 155 A 230 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 118 A 214 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)