Vishay SQ2318CES N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 7 A 2 W, 3-Pin SOT-23-3
- RS Best.-Nr.:
- 735-119
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ2318CES-T1_BE3
- Marke:
- Vishay
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- SQ2318CES-T1_BE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | SQ2318CES | |
| Gehäusegröße | SOT-23-3 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.031Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.4nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 2.36mm | |
| Breite | 3.01mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie SQ2318CES | ||
Gehäusegröße SOT-23-3 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.031Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.4nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 2.36mm | ||
Breite 3.01mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- DE
Der MOSFET von Vishay bietet ein effizientes Energiemanagement für Hochleistungsanwendungen und ist in der Lage, einer Ablassquellenspannung von bis zu 40 V standzuhalten und gleichzeitig einen zuverlässigen Betrieb bei hohen Temperaturen von bis zu 175 °C zu gewährleisten.
Einzelimpuls-Avalanche-Nennstrom von 13 A
Kompaktes SOT-23-Gehäuse minimiert den Platzbedarf auf der Leiterplatte
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