Vishay SiK N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 417 A 536 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- RS Best.-Nr.:
- 735-161
- Herst. Teile-Nr.:
- SIJK5100E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 417A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | SiK | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 10 x 12 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0014Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 131nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 100V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 536W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 10mm | |
| Länge | 12mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 417A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie SiK | ||
Gehäusegröße PowerPAK 10 x 12 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0014Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 131nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 100V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 536W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 10mm | ||
Länge 12mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- DE
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay ist für 60 V Drain-Source-Spannung ausgelegt und für hocheffizientes Schalten in KI-Leistungsserver-DC/DC-Wandlern und synchronen Gleichrichterkreisen optimiert. Er erreicht einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand von maximal 1,7 mΩ bei 10 V Gate-Ansteuerung für minimale Leitungsverluste in Hochstromanwendungen
94 A kontinuierlicher Ablassstrom bei TA=25 °C
54,3 nC typische Gesamt-Gate-Ladung für schnelles Schalten
Erweiterter Sperrschichttemperaturbereich von -55 °C bis +175 °C
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