Vishay TrenchFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 373 A 270 W, 8-Pin SO-8SW

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RS Best.-Nr.:
735-238
Herst. Teile-Nr.:
SQRS160EP-T1_GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

373A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SO-8SW

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.002Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

270W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

130nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Länge

6mm

Breite

5mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
DE

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