Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche TrenchFET Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 1.7 A 2 W, 3-Pin SQ2309ES-T1_GE3

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Herst. Teile-Nr.:
SQ2309ES-T1_GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

TrenchFET Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

TO-236

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.335Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

AEC-Q101, IEC 61249-2-21, RoHS (2002/95/EC)

Höhe

1.12mm

Länge

3.04mm

Breite

2.64 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

Vishay MOSFET


Der Vishay P-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 60 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 15,5 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat einen kontinuierlichen Ableitungsstrom von 50 A und eine maximale Verlustleistung von 136 W. Die minimale und maximale Treiberspannung für diesen Transistor beträgt 4,5 V bzw. 10 V. Er wird in Kfz-Anwendungen eingesetzt. Der MOSFET wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile


• Halogenfrei

• bleifrei (Pb)

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.

• Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand

• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Anwendungen


• Adapterschalter

• Lastschalter

Zertifizierungen


• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg-geprüft

• UIS-geprüft

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