Infineon AIMBG75R N-Kanal, Oberfläche MOSFET 750 V / 64 A 234 W, 7-Pin PG-TO263-7
- RS Best.-Nr.:
- 762-868
- Herst. Teile-Nr.:
- AIMBG75R033M2HXTMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 762-868
- Herst. Teile-Nr.:
- AIMBG75R033M2HXTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 64A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 750V | |
| Gehäusegröße | PG-TO263-7 | |
| Serie | AIMBG75R | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 31mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 234W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 169nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 10.2mm | |
| Höhe | 15mm | |
| Breite | 9.8mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 64A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 750V | ||
Gehäusegröße PG-TO263-7 | ||
Serie AIMBG75R | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 31mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 234W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 169nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 10.2mm | ||
Höhe 15mm | ||
Breite 9.8mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der MOSFET von Infineon wurde für außergewöhnliche Leistungen in Hochspannungsanwendungen wie integrierten Ladegeräten und DC/DC-Wandlern entwickelt und gewährleistet Zuverlässigkeit und Effizienz in anspruchsvollen Umgebungen.
Verfügt über eine äußerst robuste 750-V-Technologie mit ausgezeichneter Avalanche-Prüfung
Liefert eine hervorragende Wärmeableitung und reduzierte Schaltverluste
Bietet verbesserte Effizienz sowohl in harten als auch in weichen Schalttopologien
Enthält proprietäre Matrizenbefestigungstechnologie für verbesserte Zuverlässigkeit
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