Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 40 V / 60 A 65 W, 8-Pin Band und Rolle

Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF.1.858

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 4'900 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
1 - 9CHF.1.86
10 - 99CHF.1.37
100 - 499CHF.0.92
500 - 999CHF.0.81
1000 +CHF.0.68

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
762-971
Herst. Teile-Nr.:
IAUZN04S7N026ATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N-Kanal

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

60A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

Band und Rolle

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.69mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.95V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

65W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

2.29mm

Länge

2.29mm

Höhe

1.1mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
MY
Der Infineon Automotive MOSFET-Leistungstransistor ist ein N-Kanal-MOSFET mit Enhancement-Modus, der für Automobilanwendungen entwickelt wurde. Es arbeitet unter Hochtemperaturbedingungen und zeichnet sich durch eine robuste Konstruktion aus. Erweiterte Qualifikation über AEC-Q101 hinaus.

Verbesserte elektrische Prüfung

Robuste Konstruktion

RoHS-Konformität

100 % Avalanche-getestet

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.