Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 40 V / 20 A 65 W, 8-Pin BSC076N04NDATMA1
- RS Best.-Nr.:
- 273-2627
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC076N04NDATMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
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- 273-2627
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC076N04NDATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Gehäusegröße | TDSON-8-4 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 65W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Gehäusegröße TDSON-8-4 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 65W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineons MOSFET ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit 40 V. Dieser MOSFET wurde für Antriebsanwendungen optimiert und ist zu 100 gegen Lawinendurchbruch getestet. Er ist für industrielle Anwendungen gemäß den einschlägigen Tests der JEDEC47 20 2 qualifiziert.
Halogenfrei
RoHS-konform
Bleifreie Beschichtung
Schnell schaltende MOSFETs
Herrvorragende Wärmebeständigkeit
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