Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 150 V / 87 A 139 W, 8-Pin PG-TDSON-8
- RS Best.-Nr.:
- 349-395
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC088N15LS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- BSC088N15LS5ATMA1
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 87A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Gehäusegröße | PG-TDSON-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 40nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 139W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 87A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Gehäusegröße PG-TDSON-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 40nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 139W | ||
Durchlassspannung Vf 1.20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Leistungs-MOSFET der OptiMOS 5-Serie von Infineon, 150 V maximale Drain-Source-Spannung, 139 W maximale Verlustleistung – BSC088N15LS5ATMA1
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein oberflächenmontiertes N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für Hochstromschalt- und Leistungsumwandlungsaufgaben entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und eignet sich für Anwendungen, die eine effiziente Leitung bei hohen Spannungen erfordern. Das Gerät umfasst einen Gate-Schutz und erfüllt die anerkannten Material- und Temperaturbeständigkeitsstandards bei gleichzeitiger Erfüllung der RoHS-Anforderungen.
Merkmale und Vorteile:
• 8,8 mΩ RDS(on) reduziert Leitungsverluste und verbessert die Effizienz
• 87 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt Hochstrom-Designs
• 1,20 V Durchlassspannung reduziert den Spannungsabfall im eingeschalteten Zustand
• 40 nC typische Gate-Ladung ermöglicht schnelle Schaltübergänge
• 20 V Gate-Source-Grenzwert bietet robusten Gate-Schutz
• 87 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt Hochstrom-Designs
• 1,20 V Durchlassspannung reduziert den Spannungsabfall im eingeschalteten Zustand
• 40 nC typische Gate-Ladung ermöglicht schnelle Schaltübergänge
• 20 V Gate-Source-Grenzwert bietet robusten Gate-Schutz
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochleistungs-DC/DC-Wandler in Industrieanlagen
• Wird mit Motortreibern verwendet, die einen dauerhaft hohen Strom erfordern
• Ideal für Schaltnetzteile in Telekommunikationssystemen
• Kann für Batteriemanagement und Stromverteilung verwendet werden
• Geeignet für verlustarme Schaltvorgänge mit hoher Leistung in Wechselrichtern
• Wird mit Motortreibern verwendet, die einen dauerhaft hohen Strom erfordern
• Ideal für Schaltnetzteile in Telekommunikationssystemen
• Kann für Batteriemanagement und Stromverteilung verwendet werden
• Geeignet für verlustarme Schaltvorgänge mit hoher Leistung in Wechselrichtern
Welche thermische Beständigkeit bietet er im Dauerbetrieb?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und bietet einen breiten Thermo-Headroom für anspruchsvolle Umgebungen.
Welches Gehäuse und welche Montageart unterstützen kompakte Baugruppen?
Das PG-TDSON-8-Gehäuse ist für die Oberflächenmontage vorgesehen, um platzsparende Platinenlayouts zu ermöglichen.
Welche Normen und Materialbeschränkungen gelten für die Herstellung?
Das Gerät entspricht DIN IEC 68‐1:55/175/56, IEC 61249‐2‐21 und ist RoHS-konform.
Wie verhält sich das Gerät in Bezug auf die Schaltleistung?
Mit einer typischen Gate-Ladung von 40 nC und einem Enhancement-Channel-Betrieb unterstützt er schnelle Gate-Übergänge für effizientes Schalten.
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