Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 275 A 139 W, 8-Pin TDSON

RS Best.-Nr.:: 214-8969
Herst. Teile-Nr.:: BSC010N04LSIATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 275 A 139 W, 8-Pin TDSON

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 214-8969
Herst. Teile-Nr.:: BSC010N04LSIATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	275A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Serie	OptiMOS
	Gehäusegröße	TDSON
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.05mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	700mV
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	87nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	139W
	Maximale Betriebstemperatur	+175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	6.1mm
	Länge	5.35mm
	Höhe	1.2mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 275A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Serie OptiMOS
	Gehäusegröße TDSON
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.05mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 700mV
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 87nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 139W
	Maximale Betriebstemperatur +175°C
	Normen/Zulassungen No
	Breite 6.1mm
	Länge 5.35mm
	Höhe 1.2mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - BSC010N04LSIATMA1

MOSFET der OptiMOS-Serie von Infineon, 40 V Drain-Source-Spannung, 275 A kontinuierlicher Drain-Strom – BSC010N04LSIATMA1

Dieser MOSFET ist eine Hochstrom-Schaltkomponente, die für anspruchsvolle Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem sehr breiten Umgebungstemperaturbereich und ist für oberflächenmontierte Leiterplatten-Implementierungen in kompakten Baugruppen vorgesehen. Das Gerät verfügt über einen N-Kanal-Enhancement-Modus und unterstützt Gate-Treiber-Spannungen, die für eine robuste Schaltsteuerung geeignet sind.

Merkmale und Vorteile:

• Niedriger Leitungswiderstand sorgt für effizientes Schalten bei hohen Strömen
• Hoher kontinuierlicher Ablassstrom ermöglicht eine erhebliche Belastung
• Die Nennleistung von 40 V Drain-Source ermöglicht den Einsatz in einem Mittelspannungssystem
• Die Verlustleistung von 139 W unterstützt eine hohe Leistungsaufnahme
• Die typische Gate-Ladung von 87 nC ermöglicht eine vorhersehbare Schaltenergie
• 20-V-Gate-Source-Toleranz bietet Platz für den Gate-Treiber

Anwendungsbereich

• Geeignet für Hochstrom-Gleichstrommotorantriebe
• Wird für die Stromverteilung in Batteriesystemen verwendet
• Ideal für synchrone Gleichrichtung in Wandlern
• Kann für Server- und Telekommunikations-Leistungsstufen verwendet werden
• Wird mit Wechselrichtermodulen verwendet, die robuste Schalter erfordern

Welchen Temperatur-Extremen kann er im Betrieb standhalten?

Er ist für den Dauerbetrieb von -55 °C bis +175 °C ausgelegt.

Welches Gehäuse und welche Montageart wird für die Leiterplattenmontage verwendet?

Er wird in einem TDSON-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist.

Wie viele elektrische Anschlüsse sind für das Layout und die Verlegung verfügbar?

Das Gerät verwendet eine 8-polige Konfiguration für Strom- und Gate-Anschlüsse.

Welches Gate-Treiberverhalten sollten Entwickler beim Schalten erwarten?

Die Entwickler sollten bei der Berechnung von Antriebsverlusten und Schaltzeiten eine typische Gate-Ladung von 87 nC planen.

Welche physische Grundfläche sollte bei der Platzierung der Komponente zulässig sein?

Das Gehäuse misst 5,35 mm in der Länge, 6,1 mm in der Breite und 1,2 mm in der Höhe.