Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 275 A 139 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 214-8969
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC010N04LSIATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)*
CHF.4’885.00
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 5000 + | CHF.0.977 | CHF.4’866.75 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-8969
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC010N04LSIATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 275A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.05mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 139W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.7V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 87nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 5.35mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.1 mm | |
| Höhe | 1.2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 275A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.05mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 139W | ||
Durchlassspannung Vf 0.7V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 87nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 5.35mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.1 mm | ||
Höhe 1.2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die neuen 40-V- und 60-V-Produktfamilien von Infineon verfügen nicht nur über den branchenweit niedrigsten R DS(on), sondern auch über ein perfektes Schaltverhalten für schnelle Schaltanwendungen. 15 % niedrigerer R DS(on) und 31 % niedrigerer Leistungswert (R DS(on) x Q g) im Vergleich zu alternativen Geräten wurden durch Advanced Thin Wafer-Technologie realisiert. OptiMOS-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und bieten volle Flexibilität auf engstem Raum. Diese Infineon Produkte wurden entwickelt, um die Anforderungen an Energieeffizienz und Leistungsdichte zu erfüllen und zu übertreffen.
Monolithische integrierte Schottky-Diode
Optimiert für synchrone Gleichrichtung
100%ig auf Stoßentladung geprüft
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