Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 275 A 139 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 214-8970
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC010N04LSIATMA1
- Marke:
- Infineon
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- BSC010N04LSIATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 275A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.05mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 87nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 139W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 700mV | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | +175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.1mm | |
| Höhe | 1.2mm | |
| Länge | 5.35mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 275A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.05mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 87nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 139W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 700mV | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur +175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.1mm | ||
Höhe 1.2mm | ||
Länge 5.35mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der OptiMOS-Serie von Infineon, 40 V Drain-Source-Spannung, 275 A kontinuierlicher Drain-Strom – BSC010N04LSIATMA1
Dieser MOSFET ist eine Hochstrom-Schaltkomponente, die für anspruchsvolle Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem sehr breiten Umgebungstemperaturbereich und ist für oberflächenmontierte Leiterplatten-Implementierungen in kompakten Baugruppen vorgesehen. Das Gerät verfügt über einen N-Kanal-Enhancement-Modus und unterstützt Gate-Treiber-Spannungen, die für eine robuste Schaltsteuerung geeignet sind.
Merkmale und Vorteile:
• Niedriger Leitungswiderstand sorgt für effizientes Schalten bei hohen Strömen
• Hoher kontinuierlicher Ablassstrom ermöglicht eine erhebliche Belastung
• Die Nennleistung von 40 V Drain-Source ermöglicht den Einsatz in einem Mittelspannungssystem
• Die Verlustleistung von 139 W unterstützt eine hohe Leistungsaufnahme
• Die typische Gate-Ladung von 87 nC ermöglicht eine vorhersehbare Schaltenergie
• 20-V-Gate-Source-Toleranz bietet Platz für den Gate-Treiber
• Hoher kontinuierlicher Ablassstrom ermöglicht eine erhebliche Belastung
• Die Nennleistung von 40 V Drain-Source ermöglicht den Einsatz in einem Mittelspannungssystem
• Die Verlustleistung von 139 W unterstützt eine hohe Leistungsaufnahme
• Die typische Gate-Ladung von 87 nC ermöglicht eine vorhersehbare Schaltenergie
• 20-V-Gate-Source-Toleranz bietet Platz für den Gate-Treiber
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochstrom-Gleichstrommotorantriebe
• Wird für die Stromverteilung in Batteriesystemen verwendet
• Ideal für synchrone Gleichrichtung in Wandlern
• Kann für Server- und Telekommunikations-Leistungsstufen verwendet werden
• Wird mit Wechselrichtermodulen verwendet, die robuste Schalter erfordern
• Wird für die Stromverteilung in Batteriesystemen verwendet
• Ideal für synchrone Gleichrichtung in Wandlern
• Kann für Server- und Telekommunikations-Leistungsstufen verwendet werden
• Wird mit Wechselrichtermodulen verwendet, die robuste Schalter erfordern
Welchen Temperatur-Extremen kann er im Betrieb standhalten?
Er ist für den Dauerbetrieb von -55 °C bis +175 °C ausgelegt.
Welches Gehäuse und welche Montageart wird für die Leiterplattenmontage verwendet?
Er wird in einem TDSON-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist.
Wie viele elektrische Anschlüsse sind für das Layout und die Verlegung verfügbar?
Das Gerät verwendet eine 8-polige Konfiguration für Strom- und Gate-Anschlüsse.
Welches Gate-Treiberverhalten sollten Entwickler beim Schalten erwarten?
Die Entwickler sollten bei der Berechnung von Antriebsverlusten und Schaltzeiten eine typische Gate-Ladung von 87 nC planen.
Welche physische Grundfläche sollte bei der Platzierung der Komponente zulässig sein?
Das Gehäuse misst 5,35 mm in der Länge, 6,1 mm in der Breite und 1,2 mm in der Höhe.
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