Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 275 A 139 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 214-8970
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC010N04LSIATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.7.195
Auf Lager
- 4’050 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.1.439 | CHF.7.18 |
| 25 - 45 | CHF.1.239 | CHF.6.17 |
| 50 - 120 | CHF.1.145 | CHF.5.74 |
| 125 - 245 | CHF.1.082 | CHF.5.40 |
| 250 + | CHF.0.987 | CHF.4.96 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-8970
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC010N04LSIATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 275A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.05mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.7V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 87nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 139W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.2mm | |
| Länge | 5.35mm | |
| Breite | 6.1 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 275A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.05mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.7V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 87nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 139W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.2mm | ||
Länge 5.35mm | ||
Breite 6.1 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die neuen 40-V- und 60-V-Produktfamilien von Infineon verfügen nicht nur über den branchenweit niedrigsten R DS(on), sondern auch über ein perfektes Schaltverhalten für schnelle Schaltanwendungen. 15 % niedrigerer R DS(on) und 31 % niedrigerer Leistungswert (R DS(on) x Q g) im Vergleich zu alternativen Geräten wurden durch Advanced Thin Wafer-Technologie realisiert. OptiMOS-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und bieten volle Flexibilität auf engstem Raum. Diese Infineon Produkte wurden entwickelt, um die Anforderungen an Energieeffizienz und Leistungsdichte zu erfüllen und zu übertreffen.
Monolithische integrierte Schottky-Diode
Optimiert für synchrone Gleichrichtung
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 275 A 139 W, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 139 W, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 139 W, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 100 A 139 W, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 98 A 139 W, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 150 V / 87 A 139 W, 8-Pin PG-TDSON-8
- Infineon OptiMOS-TM7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 139 A 75 W, 8-Pin PG-TDSON-8-33
- Infineon OptiMOS-TM5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 275 A 217 W, 8-Pin PG-TDSON-8 FL