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    Infineon OptiMOS 5 BSC010N04LSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 139 W, 8-Pin TDSON

    RS Best.-Nr.:
    906-4381
    Herst. Teile-Nr.:
    BSC010N04LSATMA1
    Marke:
    Infineon
    Infineon
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    RoHS Status: Ausgenommen

    Rechtliche Anforderungen

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    Produktdetails

    Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™5



    MOSFET-Transistoren, Infineon


    Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.


    Technische Daten

    EigenschaftWert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.100 A
    Drain-Source-Spannung max.40 V
    GehäusegrößeTDSON
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl8
    Drain-Source-Widerstand max.1,3 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Verlustleistung max.139 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Gate-Ladung typ. @ Vgs95 nC @ 10V
    Länge6.1mm
    Breite5.35mm
    Transistor-WerkstoffSi
    Betriebstemperatur max.+150 °C
    SerieOptiMOS 5
    Höhe1.1mm
    Betriebstemperatur min.–55 °C
    Diodendurchschlagsspannung1V
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