Teile-Nr.

Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 100 A 139 W, 8-Pin TDSON

RS Best.-Nr.:: 273-2626
Herst. Teile-Nr.:: BSC010N04LSATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 100 A 139 W, 8-Pin TDSON

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 273-2626
Herst. Teile-Nr.:: BSC010N04LSATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	100A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Serie	OptiMOS 5
	Gehäusegröße	TDSON
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.3mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	95nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	139W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	6.1mm
	Höhe	1.1mm
	Breite	5.35 mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Serie OptiMOS 5
	Gehäusegröße TDSON
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.3mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 95nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 139W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Länge 6.1mm
	Höhe 1.1mm
	Breite 5.35 mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - BSC010N04LSATMA1

Infineons MOSFET ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit 40 V. Dieser MOSFET ist für die synchrone Gleichrichtung optimiert und weist aufgrund der vergrößerten Source-Verbindung eine höhere Zuverlässigkeit der Lötstellen auf. Er ist gemäß JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert.

Halogenfrei

RoHS-konform

Bleifreie Bleibeschichtung

Sehr geringer Widerstand

Hervorragende Wärmebeständigkeit

Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 100 A 139 W, 8-Pin TDSON

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