Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 150 V / 55 A 96 W, 8-Pin PG-TDSON-8

Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.20.96

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 21. Dezember 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45CHF 4.192CHF 20.96
50 - 95CHF 3.979CHF 19.92
100 - 495CHF 3.687CHF 18.42
500 - 995CHF 3.394CHF 16.99
1000 +CHF 3.262CHF 16.30

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
349-398
Herst. Teile-Nr.:
BSC152N15LS5ATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

55A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Serie

OptiMOS 5

Gehäusegröße

PG-TDSON-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

15.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

23nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

96W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Leistungs-MOSFET der OptiMOS 5-Serie von Infineon, 150 V Drain-Source-Spannung, 55 A kontinuierlicher Drain-Strom – BSC152N15LS5ATMA1


Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für Schalt- und Leistungsumwandlungsfunktionen in oberflächenmontierten Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ermöglicht den Einsatz in anspruchsvollen Umgebungen. Er erfüllt die Umweltstandards der Industrie und bietet gleichzeitig eine primäre Schaltfunktion für Hochstromanwendungen.

Merkmale und Vorteile:


• 150 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 55 A Dauerstrom unterstützt den Betrieb mit hoher Belastung
• 15.2 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last
• Die typische Gate-Ladung von 23 nC ermöglicht schnelle Gate-Übergänge
• 96 W Verlustleistung sorgen für Wärmebeständigkeit
• Das PG-TDSON-8-Oberflächengehäuse ermöglicht kompakte Leiterplatten-Layouts

Anwendungsbereiche


• Geeignet für DC/DC-Wandler in Netzteilen
• Ideal für synchrone Gleichrichtung in Wandlern
• Wird mit Motortreibern für Elektromotoren mittlerer Leistung verwendet
• Kann für Batteriemanagement- und Ladesysteme verwendet werden
• Geeignet für universelle Hochstromschaltvorgänge

Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollte ich für einen sicheren Betrieb beachten?


Die Gate-Source-Spannung darf 20 V nicht überschreiten, um eine Beschädigung des Gate-Dielektrikums zu vermeiden.

Wie verhält sich die Komponente bei extremen Temperaturen?


Er ist für den Betrieb zwischen -55 °C und 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Betrieb sowohl bei Kaltstart als auch bei erhöhter Temperatur, ohne die grundlegende Schaltleistung zu beeinträchtigen.

Welche Befestigungsaspekte gelten für die thermische Leistung?


Als PG-TDSON-8-Oberflächenmontagegerät erfordert es ausreichendes Leiterplattenkupfer und Wärmeleitungen, um unter bestimmten Bedingungen bis zu 96 W abzuleiten.

Ist das Gerät für die Automobilindustrie geeignet?


Es ist nicht für die Automobilindustrie ausgelegt, daher sollten Sie bei der Verwendung in Fahrzeugsystemen zusätzliche Qualifikationsschritte in Betracht ziehen.

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.