Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 150 V / 55 A 96 W, 8-Pin PG-TDSON-8
- RS Best.-Nr.:
- 349-398
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC152N15LS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt sichern
50 weitere Einheiten hinzufügen, um CHF 12.10 zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF 24.19
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 15. November 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF 4.838 | CHF 24.17 | - |
| 50 - 95 | CHF 4.596 | CHF 22.97 | CHF 12.10 |
| 100 - 495 | CHF 4.252 | CHF 21.25 | CHF 58.60 |
| 500 - 995 | CHF 3.919 | CHF 19.59 | CHF 459.50 |
| 1000 + | CHF 3.757 | CHF 18.80 | CHF 1'081.00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 349-398
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC152N15LS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 55A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | PG-TDSON-8 | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 96W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 23nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 55A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße PG-TDSON-8 | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 96W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 23nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Leistungs-MOSFET der OptiMOS 5-Serie von Infineon, 150 V Drain-Source-Spannung, 55 A kontinuierlicher Drain-Strom – BSC152N15LS5ATMA1
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für Schalt- und Leistungsumwandlungsfunktionen in oberflächenmontierten Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ermöglicht den Einsatz in anspruchsvollen Umgebungen. Er erfüllt die Umweltstandards der Industrie und bietet gleichzeitig eine primäre Schaltfunktion für Hochstromanwendungen.
Merkmale und Vorteile:
• 150 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 55 A Dauerstrom unterstützt den Betrieb mit hoher Belastung
• 15.2 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last
• Die typische Gate-Ladung von 23 nC ermöglicht schnelle Gate-Übergänge
• 96 W Verlustleistung sorgen für Wärmebeständigkeit
• Das PG-TDSON-8-Oberflächengehäuse ermöglicht kompakte Leiterplatten-Layouts
• 55 A Dauerstrom unterstützt den Betrieb mit hoher Belastung
• 15.2 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last
• Die typische Gate-Ladung von 23 nC ermöglicht schnelle Gate-Übergänge
• 96 W Verlustleistung sorgen für Wärmebeständigkeit
• Das PG-TDSON-8-Oberflächengehäuse ermöglicht kompakte Leiterplatten-Layouts
Anwendungsbereiche
• Geeignet für DC/DC-Wandler in Netzteilen
• Ideal für synchrone Gleichrichtung in Wandlern
• Wird mit Motortreibern für Elektromotoren mittlerer Leistung verwendet
• Kann für Batteriemanagement- und Ladesysteme verwendet werden
• Geeignet für universelle Hochstromschaltvorgänge
• Ideal für synchrone Gleichrichtung in Wandlern
• Wird mit Motortreibern für Elektromotoren mittlerer Leistung verwendet
• Kann für Batteriemanagement- und Ladesysteme verwendet werden
• Geeignet für universelle Hochstromschaltvorgänge
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollte ich für einen sicheren Betrieb beachten?
Die Gate-Source-Spannung darf 20 V nicht überschreiten, um eine Beschädigung des Gate-Dielektrikums zu vermeiden.
Wie verhält sich die Komponente bei extremen Temperaturen?
Er ist für den Betrieb zwischen -55 °C und 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Betrieb sowohl bei Kaltstart als auch bei erhöhter Temperatur, ohne die grundlegende Schaltleistung zu beeinträchtigen.
Welche Befestigungsaspekte gelten für die thermische Leistung?
Als PG-TDSON-8-Oberflächenmontagegerät erfordert es ausreichendes Leiterplattenkupfer und Wärmeleitungen, um unter bestimmten Bedingungen bis zu 96 W abzuleiten.
Ist das Gerät für die Automobilindustrie geeignet?
Es ist nicht für die Automobilindustrie ausgelegt, daher sollten Sie bei der Verwendung in Fahrzeugsystemen zusätzliche Qualifikationsschritte in Betracht ziehen.
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 150 V / 87 A 139 W, 8-Pin PG-TDSON-8
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 150 V / 76 A 125 W, 8-Pin PG-TDSON-8
- Infineon OptiMOSTM Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 96 W, 8-Pin PG-TDSON-8
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 100 A 96 W, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 96 W, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 100 A 96 W, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 96 W, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 6 Power Transistor Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 120 V Erweiterung, 8-Pin PG-TDSON-8 FL