Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 100 A 96 W, 8-Pin TDSON

RS Best.-Nr.:: 170-2297
Herst. Teile-Nr.:: BSC014N04LSATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 100 A 96 W, 8-Pin TDSON

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 170-2297
Herst. Teile-Nr.:: BSC014N04LSATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	100A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Gehäusegröße	TDSON
	Serie	OptiMOS
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.4mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	61nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Durchlassspannung Vf	1V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	96W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Breite	6.15mm
	Länge	5.15mm
	Normen/Zulassungen	J-STD20 and JESD22
	Höhe	1.1mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Gehäusegröße TDSON
	Serie OptiMOS
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 61nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Durchlassspannung Vf 1V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 96W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Breite 6.15mm
	Länge 5.15mm
	Normen/Zulassungen J-STD20 and JESD22
	Höhe 1.1mm
	Automobilstandard Nein

Infineon OptiMOS Serie MOSFET, 40 V maximale Drain-Source-Spannung, 100 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSC014N04LSATMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Schalttransistor, der für oberflächenmontierte Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich, unterstützt erhebliche kontinuierliche Ableitströme und ist für kompakte Leistungsumwandlungen und hocheffiziente Schaltvorgänge in industriellen elektronischen Systemen vorgesehen.

Merkmale und Vorteile:

• Niedrige Rds(on) von 1.4 mΩ reduziert Leitungsverluste
• 100 A kontinuierlicher Ablassstrom ermöglichen eine hohe Strombelastbarkeit
• Die Nennleistung von 40 V Drain-Source ermöglicht Mittelspannungsstufen
• Die typische Gate-Ladung von 61 nC unterstützt eine schnelle Schaltleistung
• Maximale Verlustleistung von 96 W ermöglicht eine erhebliche thermische Belastung
• Maximale Gate-Source-Spannung von 20 V ermöglicht einen robusten Gate-Antrieb

Anwendungsbereich

• Geeignet für Primär- und Sekundärstufen von DC/DC-Wandlern
• Ideal für Hochstromstromschienen in Industrieanlagen
• Wird mit synchronen Abwärtswandlern für effizientes Schalten verwendet
• Kann für Motortreiber-Halbbrückenmodule verwendet werden
• Geeignet für kompakte oberflächenmontierte Stromversorgungsbaugruppen

Welches Gehäuse und welche Befestigungsmethode wird verwendet?

Er wird in einem 8-poligen TDSON-Gehäuse geliefert und ist für die Oberflächenmontage auf einer Leiterplatte vorgesehen.

Wie bewältigt es erweiterte Temperaturbereiche?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in anspruchsvollen thermischen Umgebungen.

Welche Gate-Drive-Einschränkungen sollten Entwickler beachten?

Das Gerät ermöglicht eine maximale Gate-Source-Spannung von 20 V, sodass Gate-Treiber innerhalb dieser Grenze bleiben müssen.

Welcher elektrischer Polarität und welchem Kanalverhalten folgt er?

Es handelt sich um ein N-Kanal-Gerät im Enhancement-Modus, das einen positiven Gate-Antrieb erfordert, um zu leiten.