Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 46 A 36 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 110-9115
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC097N06NSATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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CHF.6.05
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 + | CHF 0.242 | CHF 6.06 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 110-9115
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC097N06NSATMA1
- Marke:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 46A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 14.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 36W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Breite | 6.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5.35mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 46A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 14.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 36W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.1mm | ||
Breite 6.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5.35mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
MOSFET der OptiMOS-Serie von Infineon, 60 V Drain-Source-Spannung, 46 A kontinuierlicher Drain-Strom – BSC097N06NSATMA1
Merkmale und Vorteile:
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 46 A unterstützt die Handhabung von Hochstromlasten
• Niedriger RDS(on) von 14,6 mΩ reduziert Leitungsverluste in Leistungspfaden
• Maximale Verlustleistung von 36 W ermöglicht eine anhaltende thermische Belastung
• Eine typische Gate-Ladung von 12 nC sorgt für schnelle Gate-Übergänge
• Die Gate-Source-Toleranz von 20 V ermöglicht flexible Antriebsspannungen
Anwendungsbereiche
• Ideal für Motorantriebs-Halbbrückenschaltungen
• Wird mit DC/DC-Wandlern in Server-Stromversorgungen verwendet
• Kann für Batteriemanagement und Stromverteilung verwendet werden
• Geeignet für Hochstrom-Lastpunkt-Schaltvorgänge
Welchem thermischem Umfeld kann er während des Betriebs standhalten?
Welches Gehäuse und welche Befestigungsmethode sind für die Leiterplattenmontage vorgesehen?
Welcher Kanaltyp und welcher Modus sind für das Schaltverhalten implementiert?
Wie viele elektrische Verbindungen stellt das Gerät an einem Stromkreis zur Verfügung?
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