Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 70 A 50 W, 8-Pin IPC70N04S5L4R2ATMA1 TDSON

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Herst. Teile-Nr.:
IPC70N04S5L4R2ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

70A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

TDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

22nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

50W

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

1.1mm

Länge

5.25mm

Breite

5.58 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Das Infineon Design von MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

Green Product (RoHS-konform)

MSL1 bis zu 260 °C Peak Reflow AEC Q101-zertifiziert

OptiMOS TM - Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen

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