Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 100 A 96 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 171-1961
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC014N04LSATMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | CHF.1.202 | CHF.12.00 |
| 50 - 90 | CHF.0.97 | CHF.9.71 |
| 100 - 240 | CHF.0.909 | CHF.9.10 |
| 250 - 490 | CHF.0.848 | CHF.8.50 |
| 500 + | CHF.0.788 | CHF.7.92 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 171-1961
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC014N04LSATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 61nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 96W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | J-STD20 and JESD22 | |
| Länge | 5.15mm | |
| Breite | 6.15 mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 61nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 96W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen J-STD20 and JESD22 | ||
Länge 5.15mm | ||
Breite 6.15 mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon BSC014N04LS ist der OptiMOS-Leistungs-MOSFET mit PG-TDSON-8-Gehäuse. Es hat ein perfektes Schaltverhalten für schnelle Schaltanwendungen.
Sehr niedriger Betriebswiderstand RDS(on)
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Überlegener Wärmewiderstand
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