Infineon Erweiterungsmodus OptiMOS-T2 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 20 A 54 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 214-9059
- Herst. Teile-Nr.:
- IPG20N04S4L08AATMA1
- Marke:
- Infineon
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- 214-9059
- Herst. Teile-Nr.:
- IPG20N04S4L08AATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 39nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±16 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 54W | |
| Transistor-Konfiguration | Erweiterungsmodus | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Breite | 5.9 mm | |
| Länge | 5.15mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 39nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±16 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 54W | ||
Transistor-Konfiguration Erweiterungsmodus | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Breite 5.9 mm | ||
Länge 5.15mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die neue OptiMOS-T2-Serie von Infineon verfügt über eine Reihe von energieeffizienten MOSFET-Transistoren mit CO2-Reduzierung und elektrischen Antrieben. Die neue OptiMOS-T2-Produktfamilie erweitert die bestehenden OptiMOS-T- und OptiMOS-Familien. Der Dual N-Kanal Logikebene - Enhancement Mode, ist für automatische optische Inspektion (AOI) geeignet. OptiMOS-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und bieten volle Flexibilität auf engstem Raum. Diese Infineon Produkte wurden entwickelt, um die Anforderungen an Energieeffizienz und Leistungsdichte zu erfüllen und zu übertreffen.
Das Produkt ist AEC Q101-zertifiziert
100 % Lawinenprüfung
Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C
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