ROHM P-Kanal, SMD MOSFET 5 V / 40 A 53 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 780-654
- Herst. Teile-Nr.:
- AG508EGD3HRBTL
- Marke:
- ROHM
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- RS Best.-Nr.:
- 780-654
- Herst. Teile-Nr.:
- AG508EGD3HRBTL
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | P-Kanal | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 5V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 31Ω | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -10V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 53W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 27.6nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Breite | 6.4mm | |
| Länge | 6.8mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp P-Kanal | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 5V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 31Ω | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -10V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 53W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 27.6nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Höhe 2.3mm | ||
Breite 6.4mm | ||
Länge 6.8mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt und bietet eine robuste Leistung mit einer Nennleistung von -40 V und einer signifikanten kontinuierlichen Ablassstromkapazität von bis zu 40 A.
Niedriger Einschaltwiderstand mit einem maximalen RDS(on) von 24,0 mΩ
100 % Avalanche-getestet für erhöhte Zuverlässigkeit
AEC-Q101-qualifiziert, um die Konformität für Automobilanwendungen zu gewährleisten
RoHS-konform mit Pb-freier Beschichtung für Umweltsicherheit
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