ROHM RD3G03BAT Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 40 V / 35 A 56 W, 3-Pin RD3G03BATTL1 TO-252

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Herst. Teile-Nr.:
RD3G03BATTL1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

35A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

RD3G03BAT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

191mΩ

Channel-Modus

P

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

56W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

38nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Rohm Leistungs-MOSFET hat den TO-252-Gehäusetyp. Er wird hauptsächlich zum Schalten verwendet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Einfache Antriebskreise möglich

Parallele Nutzung ist einfach

Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform

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