ROHM P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 10 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 223-6280
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3L01BATTL1
- Marke:
- ROHM
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
- RS Best.-Nr.:
- 223-6280
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3L01BATTL1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 10 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,84 Ω | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 10 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße DPAK (TO-252) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 0,84 Ω | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Der Rohm Leistungs-MOSFET hat den TO-252-Gehäusetyp. Er wird hauptsächlich zum Schalten verwendet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Einfache Antriebskreise möglich
Parallele Nutzung ist einfach
Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform
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