ROHM RD3G07BAT Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 40 V / 70 A 101 W, 3-Pin TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.12.32

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 2'500 Einheit(en) mit Versand ab 06. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45CHF.2.464CHF.12.30
50 - 95CHF.2.101CHF.10.48
100 - 245CHF.1.636CHF.8.17
250 +CHF.1.596CHF.8.00

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
223-6279
Herst. Teile-Nr.:
RD3G07BATTL1
Marke:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

70A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

RD3G07BAT

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

71mΩ

Channel-Modus

P

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

101W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

105nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Rohm Leistungs-MOSFET hat den TO-252-Gehäusetyp. Er wird hauptsächlich zum Schalten verwendet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Einfache Antriebskreise möglich

Parallele Nutzung ist einfach

Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.