ROHM RD3G07BAT Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 40 V / 70 A 101 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 223-6279
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3G07BATTL1
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.12.81
Vorübergehend ausverkauft
- 2’500 Einheit(en) mit Versand ab 09. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.2.562 | CHF.12.79 |
| 50 - 95 | CHF.2.184 | CHF.10.90 |
| 100 - 245 | CHF.1.701 | CHF.8.50 |
| 250 + | CHF.1.659 | CHF.8.32 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 223-6279
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3G07BATTL1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 70A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | RD3G07BAT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 71mΩ | |
| Channel-Modus | P | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 101W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 105nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 70A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie RD3G07BAT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 71mΩ | ||
Channel-Modus P | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 101W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 105nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Rohm Leistungs-MOSFET hat den TO-252-Gehäusetyp. Er wird hauptsächlich zum Schalten verwendet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Einfache Antriebskreise möglich
Parallele Nutzung ist einfach
Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform
Verwandte Links
- ROHM P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 70 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
- ROHM RD3L07BAT Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 60 V / 70 A 101 W, 3-Pin TO-252
- ROHM P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 10 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
- ROHM P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 15 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
- ROHM RD3G03BAT Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 40 V / 35 A 56 W, 3-Pin TO-252
- ROHM RD3L01BAT Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 60 V / 10 A 26 W, 3-Pin TO-252
- ROHM RD3L03BAT Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 60 V / 35 A 56 W, 3-Pin TO-252
- ROHM RD3G01BAT Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 40 V / 15 A 25 W, 3-Pin TO-252