Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET N -30 V / 70 A TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 258-3830
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD068P03L3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*
CHF 1'060.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 23. Februar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | CHF 0.424 | CHF 1'073.13 |
| 5000 + | CHF 0.404 | CHF 1'020.10 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-3830
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD068P03L3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 70A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -30V | |
| Serie | IPD | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 11mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 70A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -30V | ||
Serie IPD | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 11mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der IPD-Serie von Infineon, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 70 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPD068P03L3GATMA1
Dieser MOSFET ist ein SMD-Leistungstransistor, der für die N-Kanal-Schaltung in kompakten Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet zuverlässig über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich für Anwendungen, bei denen geringe Leitungsverluste und hohe Strombelastbarkeit erforderlich sind. Das Gerät erfüllt die RoHS-Anforderungen und wird in einem TO-252-Gehäuse geliefert, das für eine effiziente Leiterplattenmontage ausgelegt ist.
Merkmale und Vorteile:
• 11 mΩ Rds(on) sorgen für geringere Leitungsverluste
• 70 A Dauerstrom unterstützt Anwendungen mit hoher Belastung
• Die minimale Betriebstemperatur von -55 °C ermöglicht einen zuverlässigen Kaltstart
• Die Durchlassspannung von 1,2 V verbessert die Schalteffizienz
• Das Oberflächengehäuse TO-252 vereinfacht die thermische Verbindung
• 70 A Dauerstrom unterstützt Anwendungen mit hoher Belastung
• Die minimale Betriebstemperatur von -55 °C ermöglicht einen zuverlässigen Kaltstart
• Die Durchlassspannung von 1,2 V verbessert die Schalteffizienz
• Das Oberflächengehäuse TO-252 vereinfacht die thermische Verbindung
Anwendungsbereich
• Geeignet für die Ausgangsstufe eines DC/DC-Wandlers
• Ideal für Motortreiber-Halbbrücken-Baugruppen
• Verwendung mit Stromversorgungen in kompakten Layouts
• Kann für Hochstrom-Schaltmodule verwendet werden
• Geeignet für die Stromverteilung auf Board-Ebene
• Ideal für Motortreiber-Halbbrücken-Baugruppen
• Verwendung mit Stromversorgungen in kompakten Layouts
• Kann für Hochstrom-Schaltmodule verwendet werden
• Geeignet für die Stromverteilung auf Board-Ebene
Wie ist die Kanalkonfiguration des Geräts?
Er verwendet einen N-Kanal-Leitungsmodus, der für Low-Side-Schaltvorgänge geeignet ist.
Welche Montageart ist auf der Platine erforderlich?
Es handelt sich um eine oberflächenmontierbare Komponente, die in einem TO-252-Gehäuse für die Befestigung von gelöteten Leiterplatten geliefert wird.
Entspricht es den Umweltbeschränkungen?
Die Komponente ist RoHS-konform, was die Einhaltung der Anforderungen an eingeschränkte gefährliche Stoffe anzeigt.
Wie hoch ist die maximale Spannung, die zwischen Drain und Quelle toleriert werden kann?
Die maximale Drain-Source-Nennspannung beträgt -30 V.
Welche Eigenschaften definieren seine Eignung für den Einsatz mit hohen Strömen?
Ein niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand von 11 mΩ in Kombination mit einer Bemessungsstromstärke von 70 A bietet die elektrische Kapazität für den Betrieb mit hoher Belastung.
Verwandte Links
- Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET N 30 V / 70 A TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal MOSFET P / 15.1 A TO-252
- Infineon IPD Typ N-Kanal MOSFET P / 1.7 A TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal MOSFET N / 4.4 A TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET N / 2.6 A TO-252
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P / 13 A TO-252
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 80 V / 129 A TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET N 650 V / 42 A TO-252