Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET N 30 V / 70 A TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.5.935

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 1’625 Einheit(en) mit Versand ab 30. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45CHF.1.187CHF.5.94
50 - 120CHF.1.082CHF.5.42
125 - 245CHF.1.008CHF.5.05
250 - 495CHF.0.956CHF.4.77
500 +CHF.0.882CHF.4.40

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
258-3831
Herst. Teile-Nr.:
IPD068P03L3GATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

70A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

IPD

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.6mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1.2V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Feldwirkungstransistor mit P-Kanal-Verbesserungsmodus von Infineon ist eine äußerst innovative OptiMOS-Familie mit P-Kanal-Leistungs-MOSFETs. Diese Produkte erfüllen konsequent die höchsten Qualitäts- und Leistungsanforderungen in wichtigen Spezifikationen für die Entwicklung von Stromversorgungssystemen, wie z. B. Widerstand im eingeschalteten Zustand und Verdienstmerkmale.

Verstärkungsmodus

Logikpegel

Avalanche-geschützt

Schnelles Schalten

Dv/dt-Nennleistung

Verwandte Links