Infineon IPD Typ N-Kanal MOSFET P / 1.7 A TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 260-5140
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD60R3K3C6ATMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.0.343 | CHF.3.46 |
| 100 - 240 | CHF.0.323 | CHF.3.28 |
| 250 - 490 | CHF.0.313 | CHF.3.15 |
| 500 - 990 | CHF.0.303 | CHF.3.02 |
| 1000 + | CHF.0.202 | CHF.2.04 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 260-5140
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD60R3K3C6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.7A | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Channel-Modus | P | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.7A | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Channel-Modus P | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolMOS C6 ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super-Junction-Prinzip (SJ) entwickelt wurde und Pionier entwickelt wurde.
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