Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P / 13 A TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

CHF.3.89

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 1’560 Einheit(en) mit Versand ab 26. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 90CHF.0.389CHF.3.90
100 - 240CHF.0.368CHF.3.70
250 - 490CHF.0.357CHF.3.55
500 - 990CHF.0.336CHF.3.38
1000 +CHF.0.242CHF.2.39

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
260-5148
Herst. Teile-Nr.:
IPD78CN10NGATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13A

Gehäusegröße

TO-252

Serie

IPD

Montageart

Oberfläche

Channel-Modus

P

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-OptiMOS-MOSFET-Transistor von Infineon bietet eine ausgezeichnete Gate-Ladung. Er ist ideal für Hochfrequenzschaltung und synchrone Gleichrichtung.

N-Kanal, normaler Pegel

Ideal für Hochfrequenzschaltung und synchrone Gleichrichtung

Verwandte Links